IXFT9N80Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT9N80Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.1 Ω
极性 N-CH
耗散功率 180 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 180W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT9N80Q引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXFT9N80Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFT9N80Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 800V 9A | 当前型号 | TO-268 N-CH 800V 9A | 当前型号 |
| 型号： IXFA10N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263 N-Channel | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFA10N80P 功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 10 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 5.5 V | IXFT9N80Q和IXFA10N80P的区别 |
| 型号： IXFH10N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 功能相似 | N沟道 800V 10A | IXFT9N80Q和IXFH10N80P的区别 |
| 型号： IXFP10N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFT9N80Q和IXFP10N80P的区别 |