IXTP120P065T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP120P065T中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 298W Tc
漏源极电压Vds 65 V
连续漏极电流Ids 120A
输入电容Ciss 13200pF @25VVds
耗散功率Max 298W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP120P065T引脚图与封装图
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在线购买IXTP120P065T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP120P065T | IXYS Semiconductor | TO-220AB P-CH 65V 120A | 搜索库存 |
替代型号IXTP120P065T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP120P065T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 P-CH 65V 120A | 当前型号 | TO-220AB P-CH 65V 120A | 当前型号 |
| 型号： IXTA120P065T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3Pin2+Tab TO-263AA | IXTP120P065T和IXTA120P065T的区别 |
| 型号： IXTH120P065T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 P-CH 65V 120A | 功能相似 | TO-247P-CH 65V 120A | IXTP120P065T和IXTH120P065T的区别 |