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IXFH36N50P

IXFH36N50P

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IXYS Semiconductor 分立器件

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™

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欧时:
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得捷:
MOSFET N-CH 500V 36A TO247AD


贸泽:
MOSFET 500V 36A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Newark:
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Win Source:
MOSFET N-CH 500V 36A TO-247


IXFH36N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 36.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.17 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 540 W

阈值电压 5 V

输入电容 5.50 nF

栅电荷 93.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 5500pF @25VVds

额定功率Max 540 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 540W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

IXFH36N50P引脚图与封装图
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在线购买IXFH36N50P
型号 制造商 描述 购买
IXFH36N50P IXYS Semiconductor N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 搜索库存
替代型号IXFH36N50P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IXFH36N50P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247 N-Channel 500V 36A 170mΩ 5.5nF

当前型号

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

当前型号

型号： IXFT36N50P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-268 N-Channel 500V 36A 170mΩ 5.5nF

完全替代

Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3Pin2+Tab TO-268

IXFH36N50P和IXFT36N50P的区别

型号： IXTH36N50P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247 N-Channel 500V 36A 5.5nF

类似代替

IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH36N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 36 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 5 V

IXFH36N50P和IXTH36N50P的区别

型号： IXFH32N50

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247-3 N-Channel 500V 32A 150mΩ

类似代替

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH32N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 500 V, 150 mohm, 10 V, 4 V

IXFH36N50P和IXFH32N50的区别