IXFH80N10Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH80N10Q中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 15.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 70.0 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
额定功率Max 360 W
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH80N10Q引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFH80N10Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH80N10Q | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 100V 80A | 搜索库存 |
替代型号IXFH80N10Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH80N10Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 当前型号 | TO-247AD N-CH 100V 80A | 当前型号 |
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| 型号： STW120NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 100V 110A 9mΩ 5.2nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 9 mohm, 10 V, 4 V | IXFH80N10Q和STW120NF10的区别 |
| 型号： IRFP150PBF 品牌： 威世 封装： TO-247-3 N-Channel 100V 41A 55mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IXFH80N10Q和IRFP150PBF的区别 |