IXFE24N100
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFE24N100中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 390 mΩ
耗散功率 500 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
额定功率Max 500 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.65 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFE24N100引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFE24N100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFE24N100 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1kV 22A 4Pin ISOPLUS 227 | 搜索库存 |
替代型号IXFE24N100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFE24N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 22A 4Pin ISOPLUS 227 | 当前型号 |
| 型号： IXFN26N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-CH 1000V 23A | 类似代替 | SOT-227B N-CH 1000V 23A | IXFE24N100和IXFN26N100P的区别 |