IXFT26N50Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT26N50Q中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 26A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 3900pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT26N50Q引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFT26N50Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT26N50Q | IXYS Semiconductor | TO-268 N-CH 500V 26A | 搜索库存 |
替代型号IXFT26N50Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFT26N50Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 N-CH 500V 26A | 当前型号 | TO-268 N-CH 500V 26A | 当前型号 |
| 型号： APT5020SVFRG 品牌： 美高森美 封装： D3PAK N-CH 500V 26A 4.44nF | 功能相似 | D3PAK N-CH 500V 26A | IXFT26N50Q和APT5020SVFRG的区别 |