IXFN44N50
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN44N50中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 44.0 A
通道数 1
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 520 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 44.0 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 8400pF @25VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFN44N50引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXFN44N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFN44N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-Channel 500V 44A 120mΩ | 当前型号 | N沟道 VDS=500V VGS=±20V ID=44A | 当前型号 |
| 型号： IXFN48N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 500V 48A 100mΩ | 类似代替 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V | IXFN44N50和IXFN48N50的区别 |
| 型号： IXFN80N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-Channel 500V 80A 55mΩ | 类似代替 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN80N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 V | IXFN44N50和IXFN80N50的区别 |
| 型号： IXFN80N50Q3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-Channel 500V 63A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFN44N50和IXFN80N50Q3的区别 |