IXFN210N20P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN210N20P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 1070 W
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 18600pF @25VVds
额定功率Max 1070 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1070W Tc
封装参数
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFN210N20P引脚图与封装图
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在线购买IXFN210N20P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN210N20P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXFN210N20P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFN210N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4Pin SOT-227B | 当前型号 |
| 型号： SKM180A020 品牌： 赛米控 封装： Module N-Channel | 功能相似 | SEMIKRON SKM180A020 单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 200 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V | IXFN210N20P和SKM180A020的区别 |