IXFT20N100P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 660 W
阈值电压 6.5 V
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 7300pF @25VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 660W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-2
宽度 14 mm
封装 TO-268-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFT20N100P | IXYS Semiconductor | TO-268 N-CH 1000V 20A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFT20N100P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 N-CH 1000V 20A | 当前型号 | TO-268 N-CH 1000V 20A | 当前型号 | |
型号: IXFH20N100P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-CH 1000V 20A | 完全替代 | N沟道 1kV 20A | IXFT20N100P和IXFH20N100P的区别 |