IXTA1N120P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA1N120P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 20 Ω
耗散功率 63 W
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA1N120P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTA1N120P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA1N120P | IXYS Semiconductor | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263 | 搜索库存 |
替代型号IXTA1N120P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA1N120P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263 | 当前型号 |
| 型号： IXTP1N120P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 1200V 1A | 类似代替 | N沟道,Vdss=1200V,Idss=1A | IXTA1N120P和IXTP1N120P的区别 |