IXFX32N50Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFX32N50Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 160 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 416 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 3950pF @25VVds
额定功率Max 416 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 416W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFX32N50Q引脚图与封装图
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在线购买IXFX32N50Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFX32N50Q | IXYS Semiconductor | PLUS N-CH 500V 32A | 搜索库存 |
替代型号IXFX32N50Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFX32N50Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 500V 32A | 当前型号 | PLUS N-CH 500V 32A | 当前型号 |
| 型号： IXFX32N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS N-CH 500V 32A | 类似代替 | PLUS N-CH 500V 32A | IXFX32N50Q和IXFX32N50的区别 |