IXTP1N120P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP1N120P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 20 Ω
极性 N-CH
耗散功率 63 W
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
连续漏极电流Ids 1A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.66 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP1N120P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTP1N120P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP1N120P | IXYS Semiconductor | N沟道,Vdss=1200V,Idss=1A | 搜索库存 |
替代型号IXTP1N120P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP1N120P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 1200V 1A | 当前型号 | N沟道,Vdss=1200V,Idss=1A | 当前型号 |
| 型号： IXTA1N120P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 类似代替 | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263 | IXTP1N120P和IXTA1N120P的区别 |