IXTY1N120P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTY1N120P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 -
漏源极电压Vds 1200 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 445pF @25VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTY1N120P引脚图与封装图
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| IXTY1N120P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1.2kV 1A 3Pin2+Tab DPAK | 搜索库存 |