IXFR80N20Q

IXYS Semiconductor 分立器件

ISOPLUS N-CH 200V 71A

N-Channel 200V 71A Tc 310W Tc Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 71A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXFR80N20Q中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 310W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 71A

输入电容Ciss 4600pF @25VVds

耗散功率Max 310W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFR80N20Q引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXFR80N20Q

型号	制造商	描述	购买
IXFR80N20Q	IXYS Semiconductor	ISOPLUS N-CH 200V 71A	搜索库存