IXFK44N55Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK44N55Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 120 mΩ
耗散功率 500 W
漏源极电压Vds 550 V
漏源击穿电压 550 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 6400pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK44N55Q引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK44N55Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 550V 44A 3Pin3+Tab TO-264AA | 搜索库存 |