IXTY1R4N60P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTY1R4N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 1.40 A
耗散功率 50 W
输入电容 140 pF
栅电荷 5.20 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 1.40 A
输入电容Ciss 140 pF
额定功率Max 50 W
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTY1R4N60P引脚图与封装图
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在线购买IXTY1R4N60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTY1R4N60P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3Pin2+Tab TO-252AA | 搜索库存 |
替代型号IXTY1R4N60P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTY1R4N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252 600V 1.4A 140pF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3Pin2+Tab TO-252AA | 当前型号 |
| 型号： IXTP1R4N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 600V 1.4A 140pF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3Pin3+Tab TO-220 | IXTY1R4N60P和IXTP1R4N60P的区别 |
| 型号： IXTU1R4N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-251 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3Pin3+Tab TO-251 | IXTY1R4N60P和IXTU1R4N60P的区别 |