IXFX180N085

IXYS Semiconductor 分立器件

PLUS N-CH 85V 180A

N-Channel 85V 180A Tc 560W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247-3

贸泽:
MOSFET 180 Amps 85V 0.007 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 85V 180A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX180N085中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 7 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 560 W

漏源极电压Vds 85 V

漏源击穿电压 85 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 9100pF @25VVds

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 560W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFX180N085引脚图与封装图

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