IXTN46N50L
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 700 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 46A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700000 mW
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.2 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTN46N50L | IXYS Semiconductor | N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear series N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area FBSOA for increased ruggedness and reliability. ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 搜索库存 |