IXTA05N100
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA05N100中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 40W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 260pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA05N100引脚图与封装图
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在线购买IXTA05N100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA05N100 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1kV 0.75A 3Pin2+Tab TO-263AA | 搜索库存 |
替代型号IXTA05N100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA05N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 0.75A 3Pin2+Tab TO-263AA | 当前型号 |
| 型号： IXTA05N100HV 品牌： IXYS Semiconductor 封装： D2PAK | 完全替代 | Mosfet n-Ch 1kV 750mA To263 | IXTA05N100和IXTA05N100HV的区别 |
| 型号： IXTU05N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： IPAK-3 | 类似代替 | Mosfet n-Ch 1000V 750mA To-251 | IXTA05N100和IXTU05N100的区别 |
| 型号： IXTP05N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 1000V 0.75A | 功能相似 | IXTP 系列 单 N沟道 1000 V 17 Ohm 40 W 高压 Mosfet - TO-220AB | IXTA05N100和IXTP05N100的区别 |