IXFH120N25T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH120N25T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 23 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 890 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 11300pF @25VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 890W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH120N25T引脚图与封装图
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在线购买IXFH120N25T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH120N25T | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 250V 120A | 搜索库存 |
替代型号IXFH120N25T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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