IXFH4N100Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH4N100Q中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1050pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH4N100Q引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXFH4N100Q | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 1000V 4A | 搜索库存 |