IXTQ32N65X
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ32N65X中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 500 W
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 2205pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IXTQ32N65X引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ32N65X | IXYS Semiconductor | N-CH 650V 32A | 搜索库存 |