IXFE48N50QD3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFE48N50QD3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 400W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 41A
输入电容Ciss 8000pF @25VVds
额定功率Max 400 W
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFE48N50QD3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFE48N50QD3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFE48N50QD3 | IXYS Semiconductor | ISOPLUS N-CH 500V 41A | 搜索库存 |