IXTH14N100
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH14N100中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 1000 V
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 5650pF @25VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH14N100引脚图与封装图
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| IXTH14N100 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1kV 14A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |