IXFK180N10
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK180N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 180 A
漏源极电阻 8.00 mΩ
耗散功率 560W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 180 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 10900pF @25VVds
额定功率Max 560 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 560W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK180N10引脚图与封装图
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在线购买IXFK180N10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK180N10 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3Pin3+Tab TO-264AA | 搜索库存 |
替代型号IXFK180N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK180N10 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264 100V 180A 8mΩ | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3Pin3+Tab TO-264AA | 当前型号 |
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