IXFK30N50Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 416W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 3950pF @25VVds
耗散功率Max 416W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFK30N50Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab TO-264AA | 搜索库存 |