IXFH94N30T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH94N30T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 890W Tc
漏源极电压Vds 300 V
输入电容Ciss 11400pF @25VVds
耗散功率Max 890W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH94N30T引脚图与封装图
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在线购买IXFH94N30T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH94N30T | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 300V 94A To-247 | 搜索库存 |
替代型号IXFH94N30T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH94N30T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Mosfet n-Ch 300V 94A To-247 | 当前型号 |
| 型号： IXFH94N30P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 300V 94A | 类似代替 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH94N30P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V | IXFH94N30T和IXFH94N30P3的区别 |
| 型号： IXFT94N30T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 300V 94A | 类似代替 | TO-268AA N-CH 300V 94A | IXFH94N30T和IXFT94N30T的区别 |
| 型号： IXFT94N30P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 300V 94A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFH94N30T和IXFT94N30P3的区别 |