IXFR44N50Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFR44N50Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 154 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 310 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 34A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFR44N50Q引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFR44N50Q | IXYS Semiconductor | N沟道 500V 34A | 搜索库存 |