IXTU01N100D
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTU01N100D中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.1W Ta, 25W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 120pF @25VVds
下降时间 64 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.1W Ta, 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTU01N100D引脚图与封装图
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在线购买IXTU01N100D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTU01N100D | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 1000V 0.1A To-251 | 搜索库存 |
替代型号IXTU01N100D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTU01N100D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： IPak | 当前型号 | Mosfet n-Ch 1000V 0.1A To-251 | 当前型号 |
| 型号： IXTY01N100D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 功能相似 | MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100mA TO-25 | IXTU01N100D和IXTY01N100D的区别 |
| 型号： IXTP01N100D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 N-CH 1kV 100mA | 功能相似 | TO-220AD N-CH 1000V | IXTU01N100D和IXTP01N100D的区别 |