IXFP5N50PM
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFP5N50PM中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.4 Ω
耗散功率 38 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 620pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 38W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFP5N50PM引脚图与封装图
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| IXFP5N50PM | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3Pin3+Tab TO-220 | 搜索库存 |