IXFA230N075T2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFA230N075T2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 4.2 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 480W Tc
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 230A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 10500pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFA230N075T2引脚图与封装图
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在线购买IXFA230N075T2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFA230N075T2 | IXYS Semiconductor | TO-263AA N-CH 75V 230A | 搜索库存 |
替代型号IXFA230N075T2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFA230N075T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263AA-3 N-CH 75V 230A | 当前型号 | TO-263AA N-CH 75V 230A | 当前型号 |
| 型号： IXFH230N075T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 75V 230A | 完全替代 | TO-247 N-CH 75V 230A | IXFA230N075T2和IXFH230N075T2的区别 |
| 型号： IXTA230N075T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 | 完全替代 | Mosfet n-Ch 75V 230A To-263 | IXFA230N075T2和IXTA230N075T2的区别 |
| 型号： IXTP230N075T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 75V 230A | 完全替代 | N沟道 75V 230A | IXFA230N075T2和IXTP230N075T2的区别 |