IXFX120N65X2

IXYS Semiconductor 分立器件

通孔 N 通道 650V 120A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247™-3

N-Channel 650V 120A Tc 1250W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3

贸泽:
MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX120N65X2中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 24 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.25 kW

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 15500pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFX120N65X2引脚图与封装图

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