IXFK200N10P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK200N10P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 830W Tc
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 7600pF @25VVds
下降时间 90 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK200N10P引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXFK200N10P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin3+Tab TO-264 | 搜索库存 |