IXTF1N450
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 160W Tc
漏源极电压Vds 4500 V
连续漏极电流Ids 0.9A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 1730pF @25VVds
下降时间 127 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 i4-Pac
封装 i4-Pac
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free