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IXTK170P10P

IXTK170P10P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

通孔 P 通道 100V 170A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)

通孔 P 通道 170A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)


得捷:
MOSFET P-CH 100V 170A TO264


贸泽:
MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this IXTK170P10P power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 890000 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin3+Tab TO-264AA


DeviceMart:
MOSFET P-CH 100V 170A TO-264


IXTK170P10P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 12 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 890 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 170A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 12600pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTK170P10P引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXTK170P10P IXYS Semiconductor 通孔 P 通道 100V 170A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK) 搜索库存
替代型号IXTK170P10P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTK170P10P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-264-3 P-CH 100V 170A

当前型号

通孔 P 通道 100V 170A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)

当前型号

型号: IXTX170P10P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 P-CH 100V 170A

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