IXFT26N60P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT26N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 26.0 A
通道数 1
漏源极电阻 270 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 460W Tc
输入电容 4.15 nF
栅电荷 72.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 4150pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
宽度 14 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT26N60P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFT26N60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT26N60P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXFT26N60P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFT26N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268 N-Channel 600V 26A 270mΩ 4.15nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 |
| 型号： IXFH26N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 26A 270mΩ 4.15nF | 完全替代 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFT26N60P和IXFH26N60P的区别 |
| 型号： IXTH26N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-CH 600V 26A 4.15nF | 类似代替 | N沟道 600V 26A | IXFT26N60P和IXTH26N60P的区别 |
| 型号： IXTT26N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268 N-CH 600V 26A 4.15nF | 类似代替 | TO-268 N-CH 600V 26A | IXFT26N60P和IXTT26N60P的区别 |