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IXFX150N30P3

IXFX150N30P3

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IXYS Semiconductor 分立器件

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列

一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™


欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


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IXFX150N30P3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1300W Tc

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 150A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 12100pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFX150N30P3引脚图与封装图
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