IXTQ102N20T

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-3P N-CH 200V 102A

通孔 N 通道 200 V 102A（Tc） 750W（Tc） TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 102A Automotive 3-Pin3+Tab TO-3P

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P

IXTQ102N20T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 750W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 102A

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

耗散功率Max 750W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTQ102N20T引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXTQ102N20T

型号	制造商	描述	购买
IXTQ102N20T	IXYS Semiconductor	TO-3P N-CH 200V 102A	搜索库存

替代型号IXTQ102N20T

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IXTQ102N20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO N-CH 200V 102A	当前型号	TO-3P N-CH 200V 102A	当前型号
型号： IXTQ96N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3	类似代替	N沟道 200V 96A	IXTQ102N20T和IXTQ96N20P的区别
型号： IXTV102N20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装：	类似代替	Trans MOSFET N-CH 200V 102A 3Pin3+Tab PLUS 220	IXTQ102N20T和IXTV102N20T的区别
型号： IXFH96N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 200V 96A	功能相似	N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备	IXTQ102N20T和IXFH96N20P的区别