IXTA32N20T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA32N20T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200W Tc
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 1760pF @25VVds
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA32N20T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTA32N20T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA32N20T | IXYS Semiconductor | IXTA Series Single N-Channel 200V 72mOhm 200W Power Mosfet - TO-263 | 搜索库存 |
替代型号IXTA32N20T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA32N20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 当前型号 | IXTA Series Single N-Channel 200V 72mOhm 200W Power Mosfet - TO-263 | 当前型号 |
| 型号： IXTP32N20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 200V 32A | 类似代替 | TO-220 N-CH 200V 32A | IXTA32N20T和IXTP32N20T的区别 |