IXTH12N100L
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 400W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 12A
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTH12N100L | IXYS Semiconductor | N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear series N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area FBSOA for increased ruggedness and reliability. ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 搜索库存 |