IXFT23N60Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT23N60Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 400W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 3300pF @25VVds
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT23N60Q引脚图与封装图
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在线购买IXFT23N60Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT23N60Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXFT23N60Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFT23N60Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 |
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