IXTP50N20PM

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-220 隔离的标片

N-Channel 200V 20A Tc 90W Tc Through Hole TO-220 Isolated Tab

得捷:
MOSFET N-CH 200V 20A TO220

立创商城:
N沟道 200V 20A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin3+Tab TO-220

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; 90W; TO220FP

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 20A TO-220

IXTP50N20PM中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 90W Tc

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 2720pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTP50N20PM引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXTP50N20PM

型号	制造商	描述	购买
IXTP50N20PM	IXYS Semiconductor	TO-220 隔离的标片	搜索库存