IXFT40N50Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT40N50Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 500W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 3800pF @25VVds
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-2
外形尺寸
宽度 14 mm
封装 TO-268-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT40N50Q引脚图与封装图
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在线购买IXFT40N50Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT40N50Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXFT40N50Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFT40N50Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 |
| 型号： IXFH40N50Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 500V 40A 140mΩ | 类似代替 | N沟道 500V 40A | IXFT40N50Q和IXFH40N50Q的区别 |
| 型号： APT5014B2LC 品牌： Advanced Power Technology 封装： | 功能相似 | 500V 37A 0.14Ω POWER MOS VI | IXFT40N50Q和APT5014B2LC的区别 |