锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXTN90N25L2

IXTN90N25L2

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

SOT-227B N-CH 250V 90A

底座安装 N 通道 250 V 90A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B


贸泽:
MOSFET 90 Amps 250V


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation&s;s IXTN90N25L2 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 735000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B


IXTN90N25L2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 33 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 735 W

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 175 ns

输入电容Ciss 23000pF @25VVds

额定功率Max 735 W

下降时间 160 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 735W Tc

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTN90N25L2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTN90N25L2
型号 制造商 描述 购买
IXTN90N25L2 IXYS Semiconductor SOT-227B N-CH 250V 90A 搜索库存