IXTN90N25L2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 33 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 735 W
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 175 ns
输入电容Ciss 23000pF @25VVds
额定功率Max 735 W
下降时间 160 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 735W Tc
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXTN90N25L2 | IXYS Semiconductor | SOT-227B N-CH 250V 90A | 搜索库存 |