IXFE73N30Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 400W Tc
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 66A
输入电容Ciss 6400pF @25VVds
耗散功率Max 400W Tc
安装方式 Chassis
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFE73N30Q | IXYS Semiconductor | ISOPLUS N-CH 300V 66A | 搜索库存 |