IXTA36N30T
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA36N30T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 110 mΩ
耗散功率 -
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA36N30T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTA36N30T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA36N30T | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 300V 36A To-263 | 搜索库存 |