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IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列

HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管

低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)

低本质栅极电阻

工业标准封装

低封装电感

高功率密度

### MOSFET ,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B


欧时:
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN62N80Q3, 49 A, Vds=800 V, 4引脚 SOT-227B封装


贸泽:
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 49A 4-Pin SOT-227B


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B / N-Channel 800 V 49A Tc 960W Tc Chassis Mount SOT-227B


IXFN62N80Q3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 960 W

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 49A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 13600pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 960W Tc

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFN62N80Q3引脚图与封装图
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在线购买IXFN62N80Q3
型号 制造商 描述 购买
IXFN62N80Q3 IXYS Semiconductor N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 搜索库存
替代型号IXFN62N80Q3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFN62N80Q3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227-4 N-CH 800V 49A

当前型号

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

当前型号

型号: IXFN60N80P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: ISOTOP N-Channel 60A 140mohms

类似代替

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN60N80P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 800 V, 140 mohm, 10 V, 5 V

IXFN62N80Q3和IXFN60N80P的区别