IXTN8N150L
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 545 W
漏源极电压Vds 1500 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 8000pF @25VVds
额定功率Max 545 W
下降时间 95 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 545W Tc
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTN8N150L | IXYS Semiconductor | 底座安装 N 通道 1500V 7.5A(Tc) 545W(Tc) SOT-227B | 搜索库存 |