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IXTN8N150L

IXTN8N150L

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

底座安装 N 通道 1500V 7.5A(Tc) 545W(Tc) SOT-227B

底座安装 N 通道 1500 V 7.5A(Tc) 545W(Tc) SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this IXTN8N150L power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 545000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 7.5A 4-Pin SOT-227B


IXTN8N150L中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 545 W

漏源极电压Vds 1500 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 8000pF @25VVds

额定功率Max 545 W

下降时间 95 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 545W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTN8N150L引脚图与封装图
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