IXFX12N90Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFX12N90Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 900 V
输入电容Ciss 2900pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFX12N90Q引脚图与封装图
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在线购买IXFX12N90Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFX12N90Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 12A 3Pin3+Tab PLUS 247 | 搜索库存 |
替代型号IXFX12N90Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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