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IXFT18N100Q3

IXFT18N100Q3

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IXYS Semiconductor 分立器件

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列

HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管

低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)

低本质栅极电阻

工业标准封装

低封装电感

高功率密度

### MOSFET ,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO268


贸泽:
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, Q3-Class, N沟道, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 D3PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin2+Tab TO-268


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFT18N100Q3  MOSFET, N-CH, 1KV, 18A, TO-268 New


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268


IXFT18N100Q3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.66 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 830 W

阈值电压 6.5 V

漏源极电压Vds 1 kV

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 4890pF @25VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

IXFT18N100Q3引脚图与封装图
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在线购买IXFT18N100Q3
型号 制造商 描述 购买
IXFT18N100Q3 IXYS Semiconductor N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 搜索库存
替代型号IXFT18N100Q3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFT18N100Q3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-2 N-Channel 1000V 18A

当前型号

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

当前型号

型号: IXFH18N100Q3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247 N-Channel 1000V 18A

完全替代

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH18N100Q3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 18 A, 1 kV, 0.66 ohm, 10 V, 6.5 V

IXFT18N100Q3和IXFH18N100Q3的区别